[发明专利]锗/硅红外光学镜头(片)镀类金刚石碳膜的方法无效
| 申请号： | 87105946.0 | 申请日： | 1987-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1020158C | 公开（公告）日： | 1993-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李忠奇;刘成赞;李正芬;左名光;金惠忠 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/40;G02B1/10 |
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 李灿 |
| 地址： | 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及在锗/硅光学镜头(片)上镀红外超硬膜技术，具体的就是镀类金刚石碳膜，该方法是在射频溅射机中，首先用氩离子束轰击基片以净化其表面，然后充入氩气和丁烷的混合气体，选择适当的射频电压产生辉光放电，使混合气体电离，在电场作用下，使正碳离子撞击量以水冷负电极上的基片表面以沉积薄膜，从而获得类金刚石碳膜。用本发明方法所得的类金刚石碳膜，具有机械强度高，耐磨性能好，红外特性优良，且适于镀制大面积光学透镜等优点，适用于一切红外光学镜头(片)及光学仪器窗口的镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 光学 镜头 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锗/硅红外光学镜头(片)镀类金刚石碳膜的方法，该方法包括将锗/硅镜头(片)基片抛光清洗，用无水洒精清洗后，放在射频溅射机的水冷负电极台板夹具上，充入氩气，开启射频电压至600伏，用氩离子轰击基片表面使其净化，然后，将射频溅射机的真空系统抽真空至6.7×10-3帕，充入丁烷和氩气(30-50％体积比)的混合气体，开启射频高压使系统产生辉光放电，在锗/硅红外光学镜头(片)基片上便形成类金刚石薄膜，在类金刚石碳膜的沉积过程中，采用逐渐降低功率，逐渐增加气体分压和时间间断的循环方法。
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