[其他]化学汽相淀积装置无效
| 申请号： | 87106283 | 申请日： | 1987-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN87106283A | 公开（公告）日： | 1988-03-23 |
| 发明（设计）人： | 高山徹;犬岛;尾高政一;林茂则;広濑直樹 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C16/48 | 分类号： | C23C16/48;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨松坚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改进的用于沉积均匀薄膜的CVD装置。该装置包括一个反应室，一个底物支持器和多个用于光化CVD的光源，或一对用于等离子体CVD的电极。底物支持器是被光源包围的圆筒形底物加热车，并且是由驱动装置带动绕轴自转。利用这种配置，应用光或等离子体可使装在加热车上的底物及其周围，从而使整个待覆涂表面均匀地进行激发。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 汽相淀积 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光化增强CVD装置，包括：一个反应室；一个至少装有一个底物的底物支持器；在上述反应室内至少有一个光源，用以照射装在所述底物支持器上的底物；转动所述底物支持器的驱动装置；反应气体引入装置；以及抽空装置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
