[其他]自支撑陶瓷结构及其制作方法无效
申请号: | 87106326 | 申请日: | 1987-09-15 |
公开(公告)号: | CN87106326A | 公开(公告)日: | 1988-04-06 |
发明(设计)人: | 马克·S·纽克克;杰里·R·威恩斯塔 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦技术公司 |
主分类号: | C22C29/12 | 分类号: | C22C29/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 全菁 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 生产自支撑陶瓷结构方法,包括提供一次自支撑陶瓷体,它包括(i)根据一次熔融母体金属和一次氧化剂氧化形成的多晶氧化反应产物(ii)至少可从所述一次陶瓷体的一个表面或多个表面部分接近的相通孔隙,二次体,通过和蒸汽相氧化剂反应,用来形成二次多晶材料,这种二次多晶材料至少可使渗入上述一次陶瓷体某区的孔隙中去。 | ||
搜索关键词: | 支撑 陶瓷 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1、生产自支撑陶瓷结构的方法包括如下步骤;(a)提供一次自支撑陶瓷体,它包括(i)根据一次熔融母体金属和一次氧化剂氧化形成的一次多晶氧化反应产物,(ii)至少可从上述陶瓷体的一个或多个表面部分接近的相通孔隙;(b)二次母体金属体及上述一次陶瓷体的相互相对取向,以使上述二次母体金属与二次气相氧化剂的熔化和氧化的反应能在朝着并进入上述一次陶瓷体的相通孔隙的方向进行,导致二次多晶氧化反应产物的形成;c)加热上述二次母体金属到高于其熔点但低于一次及二次氧化反应产物两者的熔点的温度区,并在上述温度范围内形成熔融二次母体金属体;(i)将上述二次熔融母体金属,与上述气相氧化剂反应,以形成上述二次氧化反应产物多晶材料;(ii)至少保持上述部分二次氧化反应产物与熔融二次母体金属及上述氧化剂相接触,并处在他们之间,由此,二次母体金属通过上述二次多晶材料流向氧化剂,以使二次氧化反应产物继续在氧化剂及先前所形成的二次氧化反应产物之间的界面上形成,(iii)继续上述反应到一段足够长的时间,使上述二次多晶材料至少渗入上述一次陶瓷体的上述孔隙的一部分中去。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰克西敦技术公司,未经兰克西敦技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/87106326/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磨料
- 下一篇:具有高压脉冲发生器的激光装置和高压脉冲发生器及脉冲的发生方法