[发明专利]薄固体膜片组成的层状结构的局部混合无效

专利信息
申请号: 87106894.X 申请日: 1987-10-09
公开(公告)号: CN1012405B 公开(公告)日: 1991-04-17
发明(设计)人: 约翰·邓肯·罗尔斯顿;安东尼·卢克·莫雷蒂;拉温达·库马·珍 申请(专利权)人: 阿莫科公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 罗宏
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种多层半导体结构,由两个或多个不同材料制成的独立层构成,可以局部加以混合,以改变其组成,从而使原材料之间的区别消失,至少是部消失。这种混合方法采用脉冲或快速扫描激光或电子束进行照射,通常是在室温和常压下以不致在体质上损坏层状结构的能级进行。采用激光或电子束的多脉冲时可以达到彻底混合的效果。
搜索关键词: 固体 膜片 组成 层状 结构 局部 混合
【主权项】:
1.一种局部混合多层半导体结构的方法,所述结构至少具有两个结构层,且包括交替的量子阱层和阻挡层,其特征于,该方法包括下列步骤:(甲)提供一种多层半导体结构,各层的厚度在大约5至500埃的范围内,且所述结构至少有一个表面层是敞露着的;(乙)用一种适宜提供足以使诸交替层之间混合的能量通量的能源,照射所述多层半导体结构敞露着的表面层的局部区域,其中所说的能源选自脉中激光束,快速扫描激光束,脉冲电子束,快速扫描电子束以及它们的组合能源;(丙)回收局部混合过的半导体产品结构,所述结构的特征是具有在光学和/或电子性能上与原半导体结构不同的局部横向和/或纵向区域。
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