[发明专利]薄固体膜片组成的层状结构的局部混合无效
申请号: | 87106894.X | 申请日: | 1987-10-09 |
公开(公告)号: | CN1012405B | 公开(公告)日: | 1991-04-17 |
发明(设计)人: | 约翰·邓肯·罗尔斯顿;安东尼·卢克·莫雷蒂;拉温达·库马·珍 | 申请(专利权)人: | 阿莫科公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 罗宏 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种多层半导体结构,由两个或多个不同材料制成的独立层构成,可以局部加以混合,以改变其组成,从而使原材料之间的区别消失,至少是部消失。这种混合方法采用脉冲或快速扫描激光或电子束进行照射,通常是在室温和常压下以不致在体质上损坏层状结构的能级进行。采用激光或电子束的多脉冲时可以达到彻底混合的效果。 | ||
搜索关键词: | 固体 膜片 组成 层状 结构 局部 混合 | ||
【主权项】:
1.一种局部混合多层半导体结构的方法,所述结构至少具有两个结构层,且包括交替的量子阱层和阻挡层,其特征于,该方法包括下列步骤:(甲)提供一种多层半导体结构,各层的厚度在大约5至500埃的范围内,且所述结构至少有一个表面层是敞露着的;(乙)用一种适宜提供足以使诸交替层之间混合的能量通量的能源,照射所述多层半导体结构敞露着的表面层的局部区域,其中所说的能源选自脉中激光束,快速扫描激光束,脉冲电子束,快速扫描电子束以及它们的组合能源;(丙)回收局部混合过的半导体产品结构,所述结构的特征是具有在光学和/或电子性能上与原半导体结构不同的局部横向和/或纵向区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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