[其他]集成双板晶体管的集电极接触无效
| 申请号： | 87107369 | 申请日： | 1987-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN87107369A | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 洛萨·布洛斯弗尔德;克里斯托夫·沃尔茨 | 申请（专利权）人： | 德国ITT工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/88 | 分类号： | H01L21/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出了附属在集电极区(1)侧面上的集电极接触(6)，及制造该接触的方法，在此过程中，产生沟槽(3)，它侧向地限制了集电极区(1)，沟槽(3)的深度的尺寸至少等于集电极区(1)的厚度。集电极接触(6)包括含有集电极区(1)导电类型掺杂剂的多晶硅，并覆盖了从相邻的集电极接触(6)扩散的高掺杂的接触区(7′)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 晶体管 集电极 接触 | ||
【主权项】：
1、集成双极晶体管的集电极接触，其一种导电类型的集电极区是在另一导电类型的片状半导体硅衬底的一主表面上绝缘，与单块集成固体电路的其余器件相绝缘，这是通过完全围绕集电极区(1)的沟槽3完成的，其特征在于：上述集电极区(1)的集电极接触(6)设置在上述沟槽(3)的侧壁上，并包含具有上述集电极区(1)的导电类型的掺杂剂的一层多晶硅，上述集电极(6)复盖了上述集电极区(1)的导电类型的高掺杂的接触区(7′)，上述沟槽(3)的底表面复盖了一层二氧化硅(8)，上述沟槽(3)的深度至少等于上述集电极区(1)的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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