[发明专利]具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件无效
| 申请号： | 87107592.X | 申请日： | 1987-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1009688B | 公开（公告）日： | 1990-09-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤惠志;藤冈靖 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/14 | 分类号： | H01L29/14;H01L29/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改进的半导体器件、诸如改进的渐变带隙晶体管和改进的渐变带隙二极管，其特征在于该器件由含有硅原子、调节带隙的原子和降低定域能级的原子的非单晶材料构成，并且该器件至少在非结位置的一个方位上还具有一个带隙连续渐变的区域，而且只有导带和价带之一是连续渐变的，即显著地改善了频率特性，又改善了光敏效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连续 渐变 半导体 区域 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括带隙渐变半导体层区的半导体器件，所述层区处在迭置在基片上的含P型非单晶硅半导体材料的P型半导体层区和含n型非单晶硅半导体材料的n型半导体层区之间，所述带隙渐变半导体层区与所述p型半导体层区和所述n型半导体层区构成一个结。所述带隙渐变半导体层区包括包含作为主组分的硅原子、带隙调节原子及原子百分比为1-60作为降低定域能级的氢原子或卤素原子的非单晶半导体材料，所述带隙渐变半导体层区有一个区域，其中带隙在结以外的位置上连续变化，所述带隙渐变半导体层区具有一导带和一价带，价带和导带中只有一个是连续渐变的。
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