[其他]源漏掺杂技术无效
| 申请号： | 87107677 | 申请日： | 1987-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN87107677A | 公开（公告）日： | 1988-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴彬中;马克·A·霍勒;恩德·霍克莱克;桑德拉·S·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/265;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明叙述了一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，其中的源和漏区的配置是通过基本上垂直于衬底表面的离子注入方式分两个步骤实现的，使得杂质的浓度随着远离电极元件的横向距离而增加，以便抑制热电子注入，防止沟道效应，增加穿通电压以及增加对栅有利的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 技术 | ||
【主权项】：
1、一种制造金属氧化物半导体(MOS)集成电路(有一个绝缘栅电极元件在一部分的半导体衬底上形成)的方法，该方法的特征包括下列步骤：(a)在所说衬底的上方，包括在所说栅元件的相对两侧和上表面的上方，形成一层绝缘层；(b)在所说绝缘层上方的所说栅元件的所说相对两侧上形成隔离件；(c)使确定杂质导电类型的第一离子冲击在由步骤(b)所得到的结构表面上，其中所说第一离子的离子注入区在所说衬底中形成，所说隔离件阻止所说第一离子到达所说衬底；(d)除去所说隔离件；(e)使确定与所说第一离子有相同导电类型的杂质导电类型的第二离子冲击在由步骤(d)所得到的结构表面上，在其中形成所说第二离子的离子注入区；(f)加热所说衬底，以扩散至少一部分的在所说栅元件的所说相对两侧下方的所说离子，并激活所说离子；从而形成缓变的源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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