[其他]半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 87107692 申请日: 1987-11-06
公开(公告)号: CN87107692A 公开(公告)日: 1988-05-25
发明(设计)人: 威廉N·博尔斯脱;斯查德利A·马库斯;林肯·耶 申请(专利权)人: MT化学公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/52
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 张绮霞
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种半导体器件的制造方法,它包括首先将树脂粘合剂置于引线框的小板上,然后通过迅速升温,使粘合树脂活化,接着再将小片放在活化的粘合剂上。以后用普通的金属线粘结和密封工序,以提供所需的半导体器件。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1、一种将小片连结在衬底上的方法,其特征在于所述的方法,包括下述步骤:(a)将粘结量的聚合物型粘合剂组合物施加到衬底上;(b)然后将所说的粘合剂组合物加热到使粘合剂活化的程度;和(c)使活化粘合剂与小片接触,由此将所说小片连接到衬底上。
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