[其他]定型单晶的生长方法无效
| 申请号： | 87108014 | 申请日： | 1987-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN87108014A | 公开（公告）日： | 1988-06-08 |
| 发明（设计）人： | 米特里·亚科夫利维奇·克拉维斯基;利夫·马科维奇·萨图洛斯基;利奥尼德·彼特罗维奇·埃格罗;伯里斯·本希奥诺维奇·彼尔茨;莱奥尼德·萨穆洛维奇·奥康;埃费姆·阿莱克桑德罗维奇·弗里曼;维克托尔·瓦希利维奇·阿沃亚诺;阿莱克桑德·沃维奇·阿利寿夫 | 申请（专利权）人： | 全苏电热工设备科研;设计;结构和工艺所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 唐跃 |
| 地址： | 苏联*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高熔点透明金属化合物定型单晶制法包括利用加热器使惰性气氛中的原料熔化，通过成型器的毛细系统将熔体从熔化区连续输送到结晶区中，再从内拉出单晶，最后冷却单晶。原料熔化前，须往内加入1颗控温用原料粒，此粒熔化之际，记录加热器的功率P。在原料熔化过程中，功率为(1.04—1.1)P，使晶种呈微熔态时，功率为(1.03—1.08)P，长大过程中，功率为(1.02—1.08)P，拉单晶时，功率为(1.02—1.22)P。 | ||
| 搜索关键词： | 定型 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、高熔点的光学透明的金属化合物定型单晶的生长方法，其要点如下：将相应的高熔点的金属化合物原料在惰性气体的气氛中，利用加热器(7)所释放的热能使之熔化，令晶种(14)在结晶区(16)内呈微熔状态，进而让单晶(3)长大，并将其从结晶区(16)拉制成符合所需的长度，其间须通过成型器(4)的毛细系统，并变换加热器(7)的功率，将熔体(12)连续不断地输送到结晶区(16)中去，然后，使单晶(3)脱离熔体(12)并进行冷却，本方法的特征在于，在原料熔化之前，须往结晶区(16)内加入1颗控温的原料粒，当这颗控温粒开始熔化之时，将加热器(7)的功率P记录下来，原料熔化过程中加热器(7)的功率为(1.04-1.1)P，晶种(14)呈微熔化态时，加热器(7)的功率为(1.03-1.08)P，单晶(3)长大过程中，加热器(7)的功率为(1.02-1.08)P，从结晶区(16)拉制单晶(3)的过程中，加热器的功率为(1.02-1.22)P，而单晶(3)的冷却过程则是通过降低加热器(7)的功率进行的，冷却速度为每分钟20-30℃，直至温度降到1600-1550℃时，便将加热器(7)的电源切断。
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