[其他]莫来石陶瓷多层基片及其生产方法无效
| 申请号： | 87108030 | 申请日： | 1987-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN87108030A | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 石原昌作;藤田毅;黑木乔;槌田诚一;户田尧三 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及莫来石陶瓷多层基片，更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的莫来石陶瓷多层基片，其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的莫来石陶瓷多层基片和生产该基片的方法，其特征是，在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构，能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 莫来石 陶瓷 多层 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种莫来石陶瓷多层基片，其特征在于包括：-由莫来石作为主要成份而构成的多层基片，-在该基片上所形成的各布线导体，和-在所述各布线导体上所形成的、由镍和硼组成的镀膜层。
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