[发明专利]多层莫来石陶瓷基片及其生产方法无效
| 申请号： | 87108030.3 | 申请日： | 1987-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1006356B | 公开（公告）日： | 1990-01-03 |
| 发明（设计）人： | 石原昌作;藤田毅;黑木乔;槌田诚一;户田尧三 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层莫来石陶瓷基片，更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的多层莫来石陶瓷基片，其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的多层莫来石陶瓷基片和生产该基片的方法，其特征在于，在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构，能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 莫来石 陶瓷 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层莫来石陶瓷基片包括：一个由莫来石作为主要成分所组成的多层基片、在该基片上形成的布线导体，以及一层在该布线导体上形成的镀膜层，其特征在于，该镀膜层是由按重量计的98.0至99.99％的Ni和按重量计的2.0至0.0％的B组成，镀膜层的厚度不超过8.0微米，而且该基片经过温度为600至1,000℃的热处理，从而将布线导体的充分粘附力传递到镀膜层。
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