[其他]MOS栅控横向晶闸管无效
| 申请号： | 87209110 | 申请日： | 1987-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN87209110U | 公开（公告）日： | 1988-06-08 |
| 发明（设计）人： | 谢世健;张会珍;朱静远 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H01L29/68 | 分类号： | H01L29/68 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,沈廉 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | MOS栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的PNPN层为横向结构。采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用MOS管的栅控制晶闸管的导通，故可以用低压数字电路直接控制；由于晶闸管的三个电极都从表面引出，故可以通过介质隔离实现与常规CMOS低压逻辑控制电路集成化，有利于制造各种高压功率集成电路，它可广泛应用于马达驱动和工业控制等场合。 | ||
| 搜索关键词： | mos 横向 晶闸管 | ||
【主权项】：
1、一种新型结构的晶闸管，由PNPN四层结构组成，其特征在于组成晶闸管的PNPN层为横向结构，采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的源、漏区和双极型晶体管的发射区及收集区组成横向晶闸管的四层结构，其中MOS管的漏区与双极型晶体管的基区为公用区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工学院，未经南京工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87209110/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高压方向性漏电保护装置
- 下一篇：冷水循环降温防暑装置
- 同类专利
- 专利分类
