[发明专利]高TC超导薄膜材料低温合成方法无效
| 申请号： | 88100403.0 | 申请日： | 1988-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1013813B | 公开（公告）日： | 1991-09-04 |
| 发明（设计）人： | 孟广耀;彭定坤;方起;曹传宝 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01B12/06 | 分类号： | H01B12/06;H01L39/12;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中国科学院合肥专利事务所 | 代理人： | 赵乌兰,童建安 |
| 地址： | 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及超导薄膜材料的制造方法。本发明用金属有机化学气相淀积法(MOCVD)。以挥发性金属有机化合物为源，采用射频或微波等离子体为激发源，形成金属有机化学气相淀积(MOCVD)过程。在低于400℃温度下，于衬底材料表面形成高TC超导氧化物薄膜材料。本发明方法可以在低温下直接合成高TC超导薄膜，不须经高温热处理。用本发明方法制造高TC超导薄膜材料，易于精确控制，淀积速率快，衬底材料广泛。制成的薄膜光亮平整，与衬底附着牢固而无明显的相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | tc 超导 薄膜 材料 低温 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高Tc超导薄膜材料低温合成方法，其特征在于该方法是用金属有机化学气相淀积法(MOCVD)，以挥发性金属有机化合物为源，惰性气体和氧气的混合物为载气和反应介质，采用射频或微波等离子体为激发源，形成低温等离子体辅助的金属有机化学气相淀积(MOCVD)过程，在低于400℃温度下，于衬底材料表面形成高Tc超导氧化物薄膜材料。
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