[发明专利]利用CMOS工艺制造双极型晶体管无效
| 申请号： | 88100466.9 | 申请日： | 1988-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1012774B | 公开（公告）日： | 1991-06-05 |
| 发明（设计）人： | 戴维·斯普莱特;拉吉夫·R·沙汉 | 申请（专利权）人： | 得克萨斯仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/70;H01L29/70 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 吴淑芳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种双极型晶体管，及其与MOSFET器件兼容的制造方法。晶体管本征基区(54)形成于半导体阱(22)的表层，并被一层栅氧化层(44)覆盖。栅氧化层(44)上开出窗口，并且其上淀积掺杂多晶硅，形成与基区(54)接触的多晶硅发射极(68)。侧壁氧化层(82，84)形成于多晶硅发射极结构(68)上。集电区(90)和非本征基区(100)形成于半导体阱(22)之中，并且相对于多晶硅发射极侧壁氧化层(82、84)的对侧边缘自动对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 cmos 工艺 制造 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种利用MOS工艺制造双极型晶体管的方法，它包括以下步骤：在半导体基片表面形成属于第一导电类型的半导体阱；在所述半导体阱中形成第二导电类型的半导体基区；形成与所述半导体基区接触的、属于所述第一导电类型的多晶硅发射极结构，其特征在于：所述发射极结构具有侧壁；在所述多晶硅发射极结构的所述侧壁上形成绝缘体；在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体，属于第一导电类型的半导体集电区；在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体、属于所述第二导电类型的半导体非本征基区；以及使一种所述第一导电类型杂质进入所述基区从而形成属于所述第一导电类型的半导体发射区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得克萨斯仪器公司，未经得克萨斯仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/88100466.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：冷却竖炉装料设备的方法和装置
- 下一篇：抗静电地毯砖片及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
