[其他]氧化物超导体无效
| 申请号： | 88100501 | 申请日： | 1988-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN88100501A | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 长谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01L39/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高临界温度氧化物超导体，包括具有类钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示(BaXSrzLa1-x-z)2Cu1-wAgwO4(1-y)其中0.1＜x+z＜0.3，W＝0，y≥0；或0≤x＜1，0≤z1，0＜w＜1，y≥0。一种至少具有CuO6八面体的CuO5五面体中之一的氧化物超导体，其中A3Cu3O7型氧化物超导体中包含Na，K，Rb，Cs或F原子。可利用助熔剂法制备复合氧化物超导体的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导体 | ||
【主权项】：
1、一种氧化物超导体，特点为包括一种具有类似于钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物，并由下式表示：其中0.1＜x+z＜0.3，w=0，及y≥0；或者0≤x＜1，0＜z＜1，0＜w＜1，及y≥0。
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