[其他]超导器件无效
| 申请号： | 88100514 | 申请日： | 1988-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN88100514A | 公开（公告）日： | 1988-08-17 |
| 发明（设计）人： | 西野寿一;长各川睛弘;川辺潮 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个超导器件具有超导体——正常导体——超导体结构。构成超导器件的超导体由包含至少一种选自元素族Ba，Sr，Ca，Mg和Ra的元素；至少一种选自元素族La，Y，Ce，Sc，Sm，Eu，Er，Gd，Ho，Yb，Nd，Pr，Lu和Tb，Cu和O的K2CuF4型晶体结构或钙钛矿型晶体结构的超导氧化物材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 器件 | ||
【主权项】：
1、一种超导器件，包括：一个衬底；一个半导体或正常导体，它成形于所述衬底之上，由包含至少一种选自元素族Ba，Sr，Ca，Mg和Ra的元素；至少一种选自元素族La，Y，Ce，Sc，Sm，Eu，Er，Gd，Ho，Yb，Nd，Pr，Lu和Tb；Cu；和O；的钙钛矿型或K2NiF4型晶体结构的氧化物制成，以及至少两个超导体，它们在与所述半导体或所述正常导体相接触而形成，相互分开以通过所述半导体或所述正常导体构成超导弱连接，由具有与所述半导体或所述正常导体相同的元素和晶体结构的氧化物制成。
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