[发明专利]动态随机存取存储单元制造方法

摘要

在半导体基片20内形成一条沟槽，该沟槽内填入多晶硅以形成存储电容器的一个极板34，基片20用作该电容器的另一极板，沟槽的其余部分随后填有二氧化硅38，随后在二氧化硅上蚀刻图形，露出一部分侧壁直至多晶硅电容器极板，随后在多晶硅电容器极板和该基片之间形成接触50，通过氧化形成栅极绝缘体，漏极在与沟槽开口相邻的沟槽表面形成，随后在沟槽开孔部分内形成导电材料54，把存储电容器之一连接至漏极区24，由此形成一个晶体管。

主权项

1.一种形成存储单元的方法，包括：在基片中形成沟槽，用介电材料覆盖所述的沟槽的表面，用导电材料填满所述的沟槽，蚀刻所述的导电材料使导电材料的高度降低到所述沟槽内所述基片与外延层转变区附近，用绝缘材料填满所述沟槽的其余部份，在所述的沟槽开口处形成掺杂漏极区，形成为露出所述沟槽的一部分侧壁的蚀刻掩膜图案，采用各向异性蚀刻工艺蚀刻所述的绝缘材料，形成一直至所述的导电材料的窗口或开口，在基片中形成源极区，所述源极区和所述的导电材料有电气接触，在所述对绝缘材料的各向异性蚀刻所暴露出的沟槽侧壁上形成栅极绝缘层，以及，用栅极导电材料填充这样形成的开口，以提供控制所述的源极区和所述的漏极区之间导通的栅极。