[发明专利]超导半导体器件无效

专利信息
申请号: 88101268.8 申请日: 1988-03-09
公开(公告)号: CN1017951B 公开(公告)日: 1992-08-19
发明(设计)人: 山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/532 分类号: H01L23/532;H01L39/02;H01L39/24
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,何关元
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用超导材料作为半导体元件之间和/或一半导体元件与各输入和输出端子之间的引线或连接导线。
搜索关键词: 超导 半导体器件
【主权项】:
1.一种利用超导连接导线的半导体器件,它包括一半导体基片,至少一个在所说基片内形成的半导体元件以及在所说基片上形成所说超导连接导线,其特征在于,所说超导连接导线包括氧化铜超导材料,该材料的临界温度不低于液氮的温度,且所说器件可在液氮温度下工作。
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