[其他]太阳能电池无效
申请号: | 88101994 | 申请日: | 1988-04-13 |
公开(公告)号: | CN88101994A | 公开(公告)日: | 1988-10-26 |
发明(设计)人: | 卡尔-格哈德·赫斯泰;鲁道夫·赫索 | 申请(专利权)人: | 纽肯股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京,肖掬昌 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 推荐一种硅太阳能电池(19),在其基片(1)的一面上,由一MIS(1、2、3)所产生的电场使由辐射能产生的各载流子分离。各少数载流子被在MIS接触的金属(3)中排出,而各多数载流子被配置在其对面的各欧姆接触(4)导去,所述各欧姆接触被定位于比基片表面(22)高的被升高的各区域(21)上。此外,载有各欧姆接触(4)的基体(1)的一面完全是至少由一层钝层(5)覆盖的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、一种例如由硅半导体材料制成的薄膜太阳能电池(19,20,30),其半导体基片(1,6,12,13)中的少数和多数载流子由辐射能产生,所述两种载流子通过电场可分离并也可放电,其各欧姆接触(4,10,16)配置在(第一)半导体基片表面的各区间,并彼止相互链接,从而其钝化层(5,11,18)至少配置在所述各欧姆接触之间,其特征在于使少数和多数载流子分离的电场在被设置于载有欧姆接触区的第一半导体基体表面的对面的(第二)半导体基体表面附近中,因此多数载流子扩散到汇集所述载流子的各欧姆接触区,而且欧姆接触(4,10,16)配置在第一半导体基片表面的各第一区(21,23,25)上,该表面高于各欧姆接触间的各现有的第二区(22,24,26)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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