[发明专利]掺铟混晶锌扩散源无效
| 申请号： | 88102204.7 | 申请日： | 1988-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1037051A | 公开（公告）日： | 1989-11-08 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;马晓宇 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 崔丽娟 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种制造半导体器件的专用材料。掺铟混晶锌扩散源是一种制造GaAs、(AlGa)As材料半导体器件用的Zn杂质扩散源。这种扩散源是把In、Zn、As三种单质，也可用In、Zn、Ga，As四种单质加热化合(混合)成三元、四元混晶。其优点是欧姆接触比电阻低，使用、配制方便，扩散速度易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铟混晶锌 扩散 | ||
【主权项】：
1、一种锌杂质扩散源，其特征在于掺入铟使之形成均匀一体混晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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