[其他]铝钛薄膜电阻温度传感器及制备方法无效
申请号: | 88102279 | 申请日: | 1988-04-18 |
公开(公告)号: | CN88102279A | 公开(公告)日: | 1988-11-30 |
发明(设计)人: | 茅有福 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;G01K7/16 |
代理公司: | 华东师范大学专利事务所 | 代理人: | 俞允超 |
地址: | 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 铝、钛双层金属薄膜电阻温度传感器属电子固态传感器技术领域。为使传感器小型化、工作温度范围宽和灵敏度高,采用了钛、铝双层薄膜结构,微细图案设计和加工技术。温度传感器封装在小型金属管壳里,电阻值为600-130Ω,电阻正温度系数约4200×10-5/℃,能在正200℃~—200℃的温度范围内使用,最大非线性度小于0.5%。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 电阻 温度传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、铝钛薄膜电阻温度传感器由金属管座1、芯片2、绝缘氧化硅衬底3、钛膜4、铝膜5、硅铝丝6、引出线7和管帽构成,其特征在于采用在绝缘氧化硅衬底3上淀积有蚀刻成弯曲条状图案的钛膜4、铝膜5双层薄膜结构、铝钛薄膜的电阻值为600~1300Ω,电阻正温度系数约为4200×10-6/℃,在正200℃~负200℃的温度范围内最大非线性度小于0.5%。
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