[其他]超导陶瓷图案及其制造方法无效
| 申请号： | 88102320 | 申请日： | 1988-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN88102320A | 公开（公告）日： | 1988-11-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H01L39/24;H01L27/18;H01B12/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种超导氧化物陶瓷图案。该图案由高Tc超导区和在液氮温度下呈电阻性的低Tc超导区组成，而所述高Tc区在该温度下具有超导性。将杂质，例如Si掺入所述低Tc区，然后使它经受热处理，以使所述杂质氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 陶瓷 图案 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超导氧化物陶瓷图案，其特征在于它包含至少一个掺杂区和剩下的其他非掺杂区，所述掺杂区的电子结构由于包含掺杂物而已经变形，使得它们在非掺杂区的临界温度点呈现正常的导电性。
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