[其他]在低温中应用含磷平面掺杂源无效
| 申请号： | 88103168 | 申请日： | 1988-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN88103168A | 公开（公告）日： | 1988-12-28 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·埃里奇·拉普 | 申请（专利权）人： | 欧文斯·伊利诺衣电视产品公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/08;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨丽琴,魏金玺 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 掺杂组合物包括(a)通过100目筛孔或更细的多晶陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0～300℃范围内不应大于32×10-7/℃，该陶瓷由下列氧化物组成(按摩尔百分比)P2O5占45～75％，Al2O3占11～28％，Ta2O5占6.5～13％，SiO2占0～20％，La2O3占0～7％，其中，P2O5+Al2O3+Ta2O5占组成的摩尔百分比至少为75％；(b)Al2O3；以及(c)磷酸水溶液，它与Al2O3反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 应用 平面 掺杂 | ||
【主权项】：
1、用于制备掺杂源片的掺杂组合物，这种掺杂源片可通过P2O5的汽相输运，将磷掺加到硅片上，而且可在低温中应用，此掺杂组合物包括：a)细分散的多晶陶瓷颗粒，这种多晶陶瓷在0～300℃的平均线性热膨胀系数小于32×10-7/℃，并主要由下述氧化物组成(摩尔百分比)：氧化物摩尔百分比P2O545～75Al2O511～28Ta2O56.5～13SiO20～20La2O30～7其中P2O5+Al2O3+Ta2O5至少占组成的75%(摩尔)，b)Al2O3，以及c)磷酸水溶液，它与Al2O3反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧文斯·伊利诺衣电视产品公司，未经欧文斯·伊利诺衣电视产品公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/88103168/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：L-抗坏血酸的制备方法
- 下一篇：封闭焙烧碳块用分室环形炉的隔墙的装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
