[发明专利]制磷掺杂源用的掺杂组合物及掺杂硅片的方法无效
| 申请号： | 88103168.2 | 申请日： | 1988-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1018970B | 公开（公告）日： | 1992-11-04 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·埃里奇·拉普 | 申请（专利权）人： | 欧文斯·伊利诺衣电视产品公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/08;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴,魏金玺 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 掺杂组合物包括(a)通过100目筛孔或更细的多昌陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0～300℃范围内不应大于32×10-7/℃，该陶瓷由下列氧化物组成(按摩尔百分比)P2O5占45～75％，Al2O3占11～28％，Ta2O5占6.5～13％，SiO2占0～20％，La2O3占0～7％，其中，P2O5+Al2O3+Ta2O5占组成的摩尔百分比至少为75％；(b)Al2O3；以及(c)磷酸水溶液，它与Al2O3反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 组合 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂组合物，用于制备掺杂源片，所述掺杂源片通过P2O5的汽相输送使硅片掺磷，且可在低温使用，所述掺杂组合物主要包括；a)100目或更细的多晶陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0-300℃时小于32×10-7/℃，并主要由下述氧化物组成，其大约的摩尔百分数如下，氧化物摩尔百分数P2O545-75Al2O311-28Ta2O56.5-13SiO20-20La2O30-7其中P2O5+Al2O3+Ta2O5至少占该组合物的大约75％(摩尔)，b)细碎的Al2O5颗粒，以及c)磷酸水溶液，它与Al2O3反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
