[发明专利]用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法

摘要

用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法包括提供至少含有汽化的有机硅化合物，氧和惰性气体的气流；在预先抽空的反应室中产生来源于该气流的等离子体，将基片可移动地置于其中；淀积时，用非平衡磁控管约束基片附近的等离子体，以提高离子流量；使气流可控地流入等离子体中。该方法以商业上可行的淀积速率，在小的和大的基片上可重复地淀积粘附的、硬质的和基本上无机的氧化硅基薄膜，该薄膜以高质量的交键连接为特征。

主权项

1、一种淀积附着的氧化硅基薄膜的方法，其特征在于包括：提供一种含有汽化的有机硅化合物，氧气和惰性气体的气流，在预先抽空的反应室中产生来源于所述气流的辉光放电等离子体，该反应室含有在等离子体中可移动位置的基片，以及将所述气流注入等离子体中，以便在位于该等离子体中适当位置的基片上淀积氧化硅，所淀积的氧化硅是所述气流的反应产物，在淀积过程中，所述反应室保持低于大约100微米的压强。