[发明专利]三硼酸锂大单晶的生长方法

摘要

本发明涉及三硼酸锂LiB3O5(简称LBO)单晶的生长和用途，阐述了非线性激光晶体LBO的高温熔剂籽晶生长的工艺方法，以Li2O·3B2O3组成计算熔质，以B2O3或改性的B2O3为溶剂，熔质与熔剂的百分重量比为100∶20～100∶150，用LiB3O5做籽晶于834℃以下进行晶体生长，生长周期为30小时以上，获得晶体边长大于10mm，使用该晶体做为激光倍频器，倍频转换率为30～50％。

主权项

1.一种高温熔剂籽晶技术生长LBO单晶体的方法，以Li2O·3B2O3的化学组成计算溶质，以B2O3或改性的B2O3作溶剂，溶质和溶剂的重量比为100∶20～100∶150，溶质和溶剂的混合物于860℃以上熔化，澄清在5个小时以上，然后降温至834℃以下，放人LBO籽晶，下籽晶的温度在834℃以下，籽晶可下在熔体面上，也可悬浮在熔体面上，晶体生长期间，熔体开始降温，降温速度小于3℃/天，在晶体生长过程中应保持籽晶和熔体有适当的相对运动，即使籽晶旋转或坩埚旋转或籽晶，坩埚同时以相反的方向旋转，熔体中晶体生长区和熔体底部应有一定的温差，生长周期结束，进行退火处理，其特征在于籽晶在熔体中生长两天之后开始向上提拉，向上提拉的速度每天不超2mm，B2O3熔剂的改性剂可使用LiF等氟化物，改性剂的用量为作为熔剂的B2O3的量的0～50％。