[发明专利]碳化硅的制取方法无效

专利信息
申请号: 88105168.3 申请日: 1988-11-08
公开(公告)号: CN1042522A 公开(公告)日: 1990-05-30
发明(设计)人: 冯乃祥;徐秀芝;李席梦 申请(专利权)人: 东北工学院
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 东北工学院专利事务所 代理人: 安宇宏
地址: 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种制取碳化硅晶体的方法。该方法是将制取碳化硅的反应料置于石墨化炉的保温层内,生产石墨电极时同炉生产碳化硅。应用此方法可使石墨化炉的能源得到充分利用,降低碳化硅的生产成本。提高石墨电极制造厂的经济效益。
搜索关键词: 碳化硅 制取 方法
【主权项】:
1、一种以焦炭、石英砂、工业用纯氯化钠和木屑为原料制取碳化硅晶体的方法,方法中包括配料、装料、出炉等工艺过程,其特征是在石墨化炉的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料。
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