[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 88105537.9 | 申请日： | 1988-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1012117B | 公开（公告）日： | 1991-03-20 |
| 发明（设计）人： | 龙伟;徐元森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 沈德新 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，它由第一导电类型的衬底、第二导电类型的源、漏区、栅氧化层和栅极构成。村底为N型硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成。栅氧化层采用掺氟氧化工艺，在800℃或更低温度下氧化和氟处理形成，其界面为单个原子层平整，点电荷数在1×1010/厘米2量级范围中，从而满足了沟道载流子散射少，电流波动小以及浅结、短沟道要求。是一种高速、低噪声晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的源区、一个第二导电类型的漏区、一个栅氧化层以及栅极，衬底为元素半导体硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成，其特征在于栅氧化层和硅之间的界面为单原子级平整，界面电荷数在1×1010/厘米2量级范围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海冶金研究所，未经中国科学院上海冶金研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/88105537.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有环状氟化磺酸盐表面活性剂蚀刻溶液
- 下一篇：一种药酒的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
