[发明专利]四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长无效
| 申请号： | 88105599.9 | 申请日： | 1988-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1015920B | 公开（公告）日： | 1992-03-18 |
| 发明（设计）人： | 范世 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/14 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 四硼酸锂单晶(Li2B4O7∶LBO)的坩埚下降法(Bridgman)生长，属于单晶生长领域。本发明的特征是横截面积P(＝S晶种/S晶体)≥15％的LBO晶种和密度为0.9～1.4克/厘米3的LBO压块，放入壁厚为0.08～0.15毫米的铂金坩埚中，在950～1100℃炉温下熔化压块和晶种顶部，再将铂坩埚以≤0.3毫米小时的速度下降，即可生长出无色透明，完整性好，不易开裂的LBO单晶体。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将多只坩埚放入Bridgman单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 lbo 坩埚 下降 生长 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚下降法生长四硼酸锂单晶(Li12B4O7；LBO)的技术，包括：(1)晶种沿，，，等取向；(2)高纯LBO粉料经静水压或模压成型，成压块；(3)压块置铂金坩埚内在950～1100℃下熔化；其特征在于：①压块密度为0.9-1.4克/厘米3；②所用铂金坩埚壁厚为0.08-0.15毫米；③垂直于生长方向的晶种横截面积与生长晶体的横截面积之比为≥15％；④以≤0.3毫米/小时的速度作坩埚下降。
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