[发明专利]一种超导器件无效
| 申请号： | 88106054.2 | 申请日： | 1988-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1017110B | 公开（公告）日： | 1992-06-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/14 | 分类号： | H01L39/14;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种利用超导材料的经改良的器件。为防止要在衬底上形成超导材料的陶瓷的烘烤过程中产生不希望有的氧化。将超导材料只设在超导材料不与所述半导体衬底的工作区接触的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 器件 | ||
【主权项】：
1.一种超导器件，它包括：一半导体衬底；一在所述半导体衬底里形成的半导体器件；一在所述衬底上形成的超导引线；以及一连接所述半层体器件和所述超导引线的接触，其特征在于，所述接触是一种由第一和第二导电层组成的双缓冲层，所述第一层与所述半导体器件接触并包括由WSi2、MoSi2、Si和Al的组合中的一个组成部分，所述第二层与所述超导引线接触并包括由Cu、Ag和Au的组合选出的一个组成部分。
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