[发明专利]高压垂直扩散场效应管及其制法无效
| 申请号： | 88106151.4 | 申请日： | 1988-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1010066B | 公开（公告）日： | 1990-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京市半导体器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/304;H01L29/784 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 王敬智 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高压垂直扩散场效应管的制作方法，属半导体器件技术领域已有技术是在低阻N+的硅单晶衬底片上，生长一层高阻N-外延层然后在外延层上进行双扩散制作而成本发明不用外延片，直接在硅单晶片上制作高压VDMOS晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低VDMOS晶体管的导通电阻晶片减薄工艺和薄片加工工艺的特征是把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 垂直 扩散 场效应 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种高压垂直扩散MOS场效应晶体管的制造方法，其特征在于：a、用不长外延层的高阻硅单晶片作为基片；b、在完成管芯工艺后，把带有管芯的硅单晶片同底托片粘接成复合片，对复合片进行加工，使晶片减薄，降低晶体管的导通电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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