[发明专利]制作超导图案的方法无效
| 申请号： | 88106594.3 | 申请日： | 1988-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1013161B | 公开（公告）日： | 1991-07-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种约瑟夫森器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超陶瓷膜，且该局部碍超导的陶瓷膜，以形成分隔两个超导区的势垒膜。这种碍超导是采用离子注入技术将一种碍超导元素加入陶瓷膜而进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 超导 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作超导图案的方法包括：形成一种与所需成分一致的含铜氧化物陶瓷薄膜，以在一不导电的衬底表面上具有超导特性；以及对该陶瓷薄膜进行热处理，使其形成一种超导结构，它的C平面平行于所述陶瓷薄膜的表面；其特征在于：除了使第二部分根据规定图案成为超导区之外，将一种碍超导元素加到所述陶瓷膜的第一部分，以使所述成分变成与超导区构不相一致的成分，所述碍超导元素是从Si、Ge、B、Ga、P、Ta、Mg、Be、Al、Fe、Co、Ni、Cr、Ti、Mn和Zr组成的元素组中选出的。
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