[发明专利]形成超导氧化物材料的方法和装置无效
| 申请号： | 88107276.1 | 申请日： | 1988-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1016388B | 公开（公告）日： | 1992-04-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01L39/24;H01L39/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明应用施加磁场的微波等离子体CVD装置，于200-500℃下，在MgO、SrTiO或YSZ的晶体基片上形成一种超导氧化物薄膜。这种超导材料可用(A1-xBx)yCuzO1v表示，式中A选自钇系和镧系的一种或几种元素，B选自Ba、Sr或Ca的一种或几种元素。此薄膜的Tco约90°K，其在C面上的临界电流密度约1×105A/cM2；而且，即使在液氮温度下冷却，薄膜也不会破裂，且导电性也不受阻。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 超导 氧化物 材料 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在基片上形成氧化铜超导材料的方法，包括下列步骤：将一基片放置在一反应室中；将氧气或氧化气体和一反应气体、反应微细颗粒或包括母体材料的反应流体输入所说反应室中，以形成氧化铜超导材料；将电磁能量输入所说反应室中，以便激活所说反应气体、反应颗粒或反应流体；以及在所说基片上形成所说氧化铜超导材料，其特征在于，将一磁场以一基本平行于或垂直于所说基片的一个表面的方向加到所说基片，以使所说材料的晶体结构按所说方向排齐。
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