[发明专利]大中功率可控硅触发电路无效
申请号: | 88108166.3 | 申请日: | 1988-11-25 |
公开(公告)号: | CN1033719A | 公开(公告)日: | 1989-07-05 |
发明(设计)人: | 万重平 | 申请(专利权)人: | 万重平 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06 |
代理公司: | 江西省专利服务中心 | 代理人: | 喻尚威 |
地址: | 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种大中功率可控硅触发电路,主要适用于大中功率可控硅交流调压电路。它由包括负载在内的同步移相电路、双向二极管脉冲形成部件、双向可控硅脉冲放大电路以及包括两个四端网络的脉冲输出部件组成。它和一般阻容移相触发电路一样,具有线路简单,抗干扰能力强的优点。它不是交流触发,而是由双向二极管负阻特性形成的脉冲触发,触发信号有较陡的前沿,控制精度较高。 | ||
搜索关键词: | 功率 可控硅 触发 电路 | ||
【主权项】:
1、一种由同步移相电路1、脉冲形成部件2、脉冲放大电路3和脉冲输出部件4组成的大中功率可控硅触发电路为一个有一对输入端A、B,两对输出端g1、k1和g2、k2的六端网络,其特征在于:1.1同步移相电路1由负载ZH、电位器W、电阻R1和电容器C串联后跨接在输入端A、B与电源电压UE连接,即负载ZH的一端接输入端A,另一端接电位器W,电位器W的另一端接电阻R1,电阻R1的另一端接电容器C,电容器C的另一端接输入端B;1.2脉冲形成部件2为一只双向二极管DS,其一端接同步移相电路1中电阻R1与电容器C之间的连接点,即同步移相电路1的一个输出端,而另一端接脉冲放大部件3的输入端;1.3脉冲放大电路3由二极管D1、电阻R2、双向可控硅KS和二极管D2串联组成,二极管D1的阳极接负载ZH与电位器W之间的连接点,即经负载ZH、输入端A接电源电压UE,而阴极接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接双向可控硅KS的第一电极T1,双向可控硅KS的第二电极T2接二极管D2的阴极,二极管D2的阳极接输入端B,双向可控硅KS的门极G接脉冲形成部件2的输出端;1.4脉冲输出部件4包括两个四端网络,其输出端分别为g1、k1和g2、k2,相应接至主回路两只可控硅KP1、KP2的门极和阴极,而其两个输入端分别接至二极管D1、D2的阳极和阴极,由二极管D1、D2的阴极分别引出正向接入的二极管D3、D4,二极管D3、D4的阴极分别为输出端g1、g2,而输出端k1经负载ZH与输入端A相连接,输出端k2则与输入端B直接相连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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