[发明专利]一种台面半导体器件钝化工艺及设备无效
| 申请号： | 88109699.7 | 申请日： | 1988-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1008674B | 公开（公告）日： | 1990-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘秀喜 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 崔日新,刘国涛 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种台面半导体器件钝化工艺及设备，涉及台面半导体器件生产中的气相钝化工艺及其设备。本发明采用一种改进了的高压锅作为反应室HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷在加热、加压和红外光照的条件F对管芯发生作用，在台面上形成一层致密的钝化膜，从而提高了半导体器件的可靠性、稳定性和耐压强度等电气特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台面 半导体器件 钝化 工艺 设备 | ||
【主权项】：
1、一种台面半导体器件钝化工艺，利用HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷先后对管芯作用，在裸露的PN结表面形成一层钝化膜，本发明的特征在于，HF-HNO3混合蒸汽和甲基三氯硅烷在高压锅中加热、加压的条件下，对管芯进行钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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