[其他]低碳污染SOI石墨加热元件无效
| 申请号： | 88211152 | 申请日： | 1988-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN88211152U | 公开（公告）日： | 1988-11-30 |
| 发明（设计）人： | 郑其经;阎宁新 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14 |
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,沈廉 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用于区熔再结晶SOI的低碳污染石墨加热元件，由石墨基体和表面覆盖层组成，其特点在于在采用高纯度石墨加工而成的石墨基体表面覆盖一层5～30μm的热解石墨涂层，该涂层可用化学汽相淀积方法获得。这种石墨加热元件的结构简单，稳定性好，在区熔再结晶过程中可以抑制或排除碳对硅片的污染。由于制造和使用方便，因而有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 污染 soi 石墨 加热 元件 | ||
【主权项】：
1、一种用于区熔再结晶SOI的石墨加热元件，由石墨基体和表面复盖层组成，其特征在于严密复盖石墨基体的表面复盖层采用热解石墨涂层。
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