[实用新型]具有单层衬底结构的高压晶体管无效
| 申请号： | 88213133.8 | 申请日： | 1988-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN2055292U | 公开（公告）日： | 1990-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京市半导体器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 王敬智 |
| 地址： | 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 具有单层衬底结构的高压晶体管，包括高压VDMOS晶体管，高压VVMOS晶体管，高压JFET晶体管，高压BJF晶体管，高压GAT晶体管，高压BJFET晶体管，其衬底是具有单一高阻薄层结构的硅单晶片，属半导体器件技术领域。其制作工序是采用常规工艺直接在高阻硅单晶衬底上制造高压晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低导通电阻。这种工艺的特征在于把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单层 衬底 结构 高压 晶体管 | ||
【主权项】：
1、具有单层衬底结构的高压晶体管，属半导体器件领域，包括高压VDMOS晶体管，高压VVMOS晶体管，高压JFET晶体管，高压GAT晶体管，高压BJFET晶体管，其特征在于：高压晶体管的衬底是不长外延层的高阻硅单晶片，在管芯工艺完成后，通过减薄芯片，即形成具有单一高阻薄层结构衬底的高压晶体管。
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