[发明专利]导电性聚合物的制备方法无效
申请号: | 89100776.8 | 申请日: | 1989-02-13 |
公开(公告)号: | CN1019304B | 公开(公告)日: | 1992-12-02 |
发明(设计)人: | 米切尔·费尔得霍斯;京特·凯姆博 | 申请(专利权)人: | 赫彻斯特股份公司 |
主分类号: | C08F34/00 | 分类号: | C08F34/00;H01B1/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 联邦德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及导电性聚合物,它们可以制成自支承性薄膜或复合体,聚合物的结构单元由至少一种式(I)的单体而来式中,R1表示C1-C12的烷氧基,R2表示C1-C12的烷基。本发明还涉及一种用至少一种式(I)的单体经氧化聚合来制备所述聚合物的方法。本发明的聚合物特别可以供要求高电导率的同时还要求优良的化学稳定性,机械稳定性,以及热稳定性的应用。 | ||
搜索关键词: | 导电性 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备在中性(非导电性)和氧化(掺杂)状态呈本征导电性的聚合物的方法,这种聚合物是在2位和/或5位彼此相互连接的不同结构单元所组成,按统计平均计算,其中60~100摩尔%的结构单元由至少一个式(Ⅰ)的单体而来式中,R1表示直链或支链的C1-C12烷氧基或n为1~4的O(CH2CH2)nCH3R2表示C1-C12的烷基,R1和R2也可以一起形成-O(CH2)nCH2基(m=1~12),聚合物中另外0~40摩尔%的结构单元由至少一种式(Ⅱ)的单体而来式中,R4和R5各自指氢原子,囟原子,C1-C12烷基,芳甲基或芳基或者与连接它们的碳原子一起形成芳环,R3和R6各自指氢原子,R3和R4,R5和R6也可以与连接它们的碳原子一起各形成芳环,X指氧原子,硫原子,NH基,N-烷基或N-芳基,聚合物中还有0~40摩尔%的结构单元由至少一种式(Ⅲ)的单体而来,式中,R7,R8,R9和R10各自指氧原子,C1-C12的烷基,芳基或C1-C12的烷氧基,r和z各自指氧原子,硫原子,NH基,N-烷基或N-芳基,R11指亚芳基,杂亚芳基,或式(-CH=CH-)p(P等于0,1,2或3)的共轭体系,该法包括在一种氧化剂存在下采用至少一种式(Ⅰ)的单体,还同时可任选一种或多种式(Ⅱ)和式(Ⅲ)的共聚用单体,通过氧化聚合制备所述本征导电性聚合物,所述氧化剂同单体的摩尔比为2∶1至5∶1,氧化剂的浓度为每立方分米溶剂含0.1~1.5摩尔。
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