[发明专利]淀积主要由碳组成的薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 89101005.X 申请日: 1989-02-25
公开(公告)号: CN1028117C 公开(公告)日: 1995-04-05
发明(设计)人: 伊藤健二 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,程天正
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 当以碳涂层涂敷基底的CVD(化学汽相淀积)法和加强的CVD法在最近引起极大的兴趣的时候,至今存在着碳涂层由于不同的热膨胀或热收缩而从下面的基底擦掉的情况。本发明公开了一种碳淀积的传统CVD工艺规格的改进,根据本发明淀积条件是变化的,旨在使涂层和下面的基底之间的界面处的碳涂层硬度低于在涂层的外表面处的硬度。
搜索关键词: 主要 组成 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种形成无定形碳涂层的方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤:将物体放置在反应室内;将包括至少一种碳氢化合物的反应气体引进压力不低于0.133帕的所述反应室;将射频能量输进一对电极,以便分解所述反应气体,并将所述物体置于其中一个所述电极对上;将一负直流偏压输进所述电极对的一个其上放置所述物体的电极上;以及将所述无定形涂层淀积在所述物体上,其特征在于,所述负直流偏压值在淀积所述无定形碳涂层期间是连续改变的,以使所述无定形涂层在靠近该物体处的硬度小于远离所述物体处的硬度。
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