[发明专利]成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法无效
| 申请号： | 89101639.2 | 申请日： | 1989-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1037551A | 公开（公告）日： | 1989-11-29 |
| 发明（设计）人： | 五十岚孝司;福田信弘 | 申请（专利权）人： | 三井东圧化学株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 齐曾度 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括一高频涂敷电极和一接地电极的成膜装置。高频涂敷电极具有一带有峰和谷的不平坦表面。通过将硅基气体送进该装置，在高频涂敷电极和接地电极之间产生辉光放电应将基片放在产生辉光放电的环境中，而将非晶硅薄膜高速地、均匀地形成在基片上。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 及其 生产 非晶硅 化合物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于在基片上形成薄膜的装置，包括一高频涂敷电极和一接地电极，所说的高频涂敷电极是具有一带有凸峰和凹谷的不平坦表面。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
