[发明专利]CMOS/NMOS集成电路无效

专利信息
申请号: 89101825.5 申请日: 1989-03-30
公开(公告)号: CN1036864A 公开(公告)日: 1989-11-01
发明(设计)人: 汉斯·尤根·加里;阿荷德·尤兰霍夫 申请(专利权)人: 德国ITT工业公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 杜日新
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 集成电路的每个功能由一基本电路实现,如加法器(SM),乘法器(m),除法器(d),比较器(K)、存贮器(SP)、移位寄存器(Sr)、模/数转换器(ad)、数/模转换器(da)或采样保持器(ah)、翻转触发器(f)、反相器(ic,id)或门(g),其特征为将各功能所需的基本电路中子数(p)个制成CMOS基本电路(c),其余子数q个制成增强型NMOS具有电流源的基本电路(N),最好是以耗尽型晶体管为负载器件,并选择子数p,使CMOS基本电路(c)中传输延迟对供电电压的依赖性被NMOS基本电路(N)中传输延迟对供电电压的依赖性所补偿。
搜索关键词: cmos nmos 集成电路
【主权项】:
1、CMOS/NMOS集成电路(S),具有,最好数字的,功能,每个功能由一基本电路实现,如加法器(SM),乘法器(m),除法器(d),比较器(k)、存贮器(sp)、移位寄存器(sr)、模/数转换器(ad)、数/模转换器(da)或采样保持器(ah)、翻转触发器(f)、反相器(ic,id)或门(g),其特征为将各功能所需的基本电路中子数(p)个制成CMOS基本电路(c),其余子数q个制成增强型NMOS具有电流源的基本电路(N),最好是以耗尽型晶体管为负载器件,并选择子数p,使CMOS基本电路(c)中传输延迟对供电电压的依赖性被NMOS基本电路(N)中传输延迟对供电电压的依赖性所补偿。
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