[发明专利]磁光盘存储合金材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 89102075.6 申请日: 1989-04-05
公开(公告)号: CN1015497B 公开(公告)日: 1992-02-12
发明(设计)人: 王荫君;沈建祥;唐谦;李肇辉 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G11B7/24 分类号: G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 刘晖
地址: 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种磁光盘存储合金材料及其制备方法,该材料由一透明基片和其上的合金材料构成,此合金材料以锰、铋为基,掺入铝、硅原子,或以锰、铋为基,掺入铝、硼原子,其分子式为Mn1BixAlySiz,其中x=0.7-1.0,y=0.2~0.5,z=0.5~2。用蒸发或溅射法将上述原材料按一定次序淀积在透明基片上,并进行真空退火,形成六角密排的晶体结构。该材料磁光克尔转角大,晶粒尺寸小,结构稳定,而且制备工艺简单易行。
搜索关键词: 光盘 存储 合金材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种磁光盘存储合金材料,由一透明基片和其上的合金材料构成,其特征在于:所述合金材料以锰铋合金为基,并掺入铝,硅原子;所述锰、铋、铝、二氧化硅按一定顺序真空淀积在所述透明基片上,相互扩散形成多层薄膜,所述合金材料的分子式为:Mn1BixAlySiz其中,x=0.7~1.0,y=0.2~0.5,z=0.5~2.0。
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