[发明专利]一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构在审
| 申请号： | 89103289.4 | 申请日： | 1989-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1047420A | 公开（公告）日： | 1990-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李志坚;罗跃林;郑心畬;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01L9/00;G01L13/06 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 胡兰芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 压力传感器 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，其特征是首先在下层硅上产生出至少一个空腔，然后将另一上层硅与下层硅封接在一起并减薄上层硅至所需厚度，在下层硅空腔上获取硅压力敏感膜，形成硅盒结构，再利用常规工艺在硅压力敏感膜上制做压敏元件，最后划片封装制成单晶硅绝对压力传感器或传感器阵列。
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