[发明专利]薄膜陶瓷强化金属表面技术无效
| 申请号： | 89103515.X | 申请日： | 1989-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1017068B | 公开（公告）日： | 1992-06-17 |
| 发明（设计）人： | 汪树成 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BN-SiN薄膜陶瓷强化金属表面的技术。用低温P-CVD法，靠等离体能量，在不管是基体材质不同、形状大小或复杂与否的金属表面一次合成BN-SiN薄膜陶瓷并完成镀复。其工艺简单，薄膜生长温度低，省能，易控制，且不受被加工件材质、形状和镀复位置的限制。BN-SiN薄膜陶瓷具有超硬度、耐高温、抗腐蚀、附着力强、导热性好、光洁度高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 陶瓷 强化 金属表面 技术 | ||
【主权项】：
1、一种制造薄膜陶瓷强化金属表面技术，其工艺过程包括预处理和P-CVD；其中预处理过程是将金属加工件(5)放入反应室(1)中的电极板(6)上，反应室(1)经过抽真空，加热工件(5)，通入氮(N2)或氩(Ar2)，淀积空间进行高频辉光放电；然后通入工作气体进行P-CVD，工作气体是硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)，用氮(N2)或氩(Ar2)稀释，硅烷(SiH4)稀释浓度＜10％，硼烷(B2H6)稀释浓度为2％，硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)的流量比为1∶1～1∶3，其中惰性气体和稀释气体中有一种必须是氮(N2)；衬底(5)加热温度为150～500℃；一次合成出具有双扩散层性质的BN-SiN复合薄膜陶瓷。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
