[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 89104526.0 | 申请日： | 1989-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1039151A | 公开（公告）日： | 1990-01-24 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫斯·马丁纳斯·弗朗西斯卡斯·杰拉达斯·范拉霍芬;威廉马斯·弗朗西斯卡斯·玛丽·古特善;迈克尔·弗里德里克·布鲁诺·贝勒森;董仲之 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 何耀煌,肖掬昌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在构成器件的一部分的底层结构1的表面1a上构成其顶壁2a和侧壁2b相交成边缘20的隔开的区域2。在1a和2上形成绝缘材料层3，结果，在2的边缘20上优先形成该绝缘材料，从而在边缘20附近形成悬垂在表面1a上的底层绝缘材料之上的绝缘材料部分31。然后，各向异性地腐蚀层3，以露出2a。在该腐蚀过程中，悬垂部分31起初将表面1a上的底层绝缘材料遮掩，以致后者的腐蚀受控于前者的腐蚀进程，而当2a露出时在2b上保留缓慢倾斜的绝缘材料隔离层30。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、制造半导体器件的方法，它包括：(1)在构成该器件的一部分的底层结构的表面上限定一些隔开的区域，每个区域的顶壁和侧壁相交构成边缘，(2)在所述表面和区域上形成绝缘材料层，以及(3)对所述绝缘材料层进行各向异性腐蚀，以露出所述区域的顶壁，而留下所述区域侧壁上的绝缘材料部分，其特征在于：使所述绝缘材料优先淀积在所述区域的所述边缘上，以便在所述边缘附近形成悬垂在淀积于所述表面上的所述底层绝缘材料之上的绝缘材料部分，以致于在对该绝缘材料进行各向异性腐蚀的过程中，淀积在所述表面上的所述底层绝缘材料起初被所述悬垂部分所遮掩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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