[发明专利]铋锶钙铜氧系超导复合材料的制备方法无效
申请号: | 89105470.7 | 申请日: | 1989-02-01 |
公开(公告)号: | CN1044729A | 公开(公告)日: | 1990-08-15 |
发明(设计)人: | 李廷伟;陈廷国;吴自良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海冶金研究所 |
主分类号: | H01B12/00 | 分类号: | H01B12/00;C04B35/00 |
代理公司: | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人: | 沈德新 |
地址: | 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种铋锶钙铜氧系高温陶瓷超导复合材料的制备技术。包括制备超导粉体,在金属或合金包套中灌装超导粉体,冷、热加工成型材,型材在真空或保护气氛中,低于800℃温度下烧结以及随炉慢冷等工艺。使用本发明工艺制备超导复合材料,既避免了超导体氧浓度的改变,也避免了超导体与包套的反应,且超导复合材料致密,临界电流密度高,超导晶粒呈择尤取向。是一种实用的铋锶钙铜氧系超导复合材料的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 铋锶钙铜氧系 超导 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铋锶钙铜氧系高温陶瓷超导复合材料的制备方法,包括铋锶钙铜氧系高温超导粉体的制备工艺,其特征在于:A、在铜、镍、银或铜合金,镍合金,不锈钢或其它金属或合金包套材料中充实,紧密地灌装铋锶钙铜氧系超导粉体;B、冷加工或热加工灌装好超导粉体的复合材料成各种型材;C、铋锶钙铜氧系高温超导复合型材的烧结温度为650-800℃;烧结时间为10-50小时;保护气氛为氦、氩、氖或其它保护气体或真空;冷却为随炉慢冷。
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