[发明专利]铋锶钙铜氧系超导复合材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 89105470.7 申请日: 1989-02-01
公开(公告)号: CN1044729A 公开(公告)日: 1990-08-15
发明(设计)人: 李廷伟;陈廷国;吴自良 申请(专利权)人: 中国科学院上海冶金研究所
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;C04B35/00
代理公司: 中国科学院上海专利事务所 代理人: 沈德新
地址: 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种铋锶钙铜氧系高温陶瓷超导复合材料的制备技术。包括制备超导粉体,在金属或合金包套中灌装超导粉体,冷、热加工成型材,型材在真空或保护气氛中,低于800℃温度下烧结以及随炉慢冷等工艺。使用本发明工艺制备超导复合材料,既避免了超导体氧浓度的改变,也避免了超导体与包套的反应,且超导复合材料致密,临界电流密度高,超导晶粒呈择尤取向。是一种实用的铋锶钙铜氧系超导复合材料的制备方法。
搜索关键词: 铋锶钙铜氧系 超导 复合材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种铋锶钙铜氧系高温陶瓷超导复合材料的制备方法,包括铋锶钙铜氧系高温超导粉体的制备工艺,其特征在于:A、在铜、镍、银或铜合金,镍合金,不锈钢或其它金属或合金包套材料中充实,紧密地灌装铋锶钙铜氧系超导粉体;B、冷加工或热加工灌装好超导粉体的复合材料成各种型材;C、铋锶钙铜氧系高温超导复合型材的烧结温度为650-800℃;烧结时间为10-50小时;保护气氛为氦、氩、氖或其它保护气体或真空;冷却为随炉慢冷。
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