[发明专利]控制直拉硅单晶中氮含量的方法无效
| 申请号： | 89105564.9 | 申请日： | 1989-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1014727B | 公开（公告）日： | 1991-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李立本;张锦心;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C03B15/02 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种控制直拉硅单晶中氮含量的方法，用99.99％以上的纯氮作为保护气体，采用分段控制炉内氮气压力，特别是熔硅阶段的氮气压力严格控制在266～1995Pa范围内，获得硅单晶中氮含量为1.0×1014～7.0×1014/cm3，且保证该硅单晶的成品率达到80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 直拉硅单晶中氮 含量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制直拉硅单晶中含氮量的方法，包括坩埚转速为6～10转/分，坩埚内硅多晶投料量为2～40kg，晶体转速为12～25转/分，拉速为0.8～2.2毫米/分，晶体直径2″～5″，以99.99％以上的纯氮作为保护气体，炉内氮气压力为266～3990Pa，氮气流量为0.2～10m3/hr，制成氮含量为1.0×1014～7.0×1014/cm3的硅单晶，其特征在于：——在熔硅阶段，炉内氮气压力为266～1995Pa，流量为0.2～4m3/hr；——在拉晶阶段，炉内氮气压力为2660～3990Pa，流量为0.8～10m3/hr；——在拉晶结束阶段，炉内氮气压力为1330～1995Pa，流量为0.6～4m3/hr。
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