[发明专利]埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法无效
| 申请号： | 89106240.8 | 申请日： | 1989-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1040460A | 公开（公告）日： | 1990-03-14 |
| 发明（设计）人： | 黄宜平;汤庭鰲 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 复旦大学专利事务所 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 上海市邯郸*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属半导体集成电路工艺结构领域，是一种埋层阻挡式多孔硅氧化形成SOI结构的新工艺。主要步骤包括锑或砷扩散，在硅衬底上形成n型埋层阻挡层；P型外延；磷或砷离子注入，形成n型岛器件区；阳极化，使P型外延层转化为多孔硅；多孔硅氧化，形成SOI结构。本发明工艺简单，实施方便，获得的SOI结构平整，缺陷密度小，n型硅岛间的击穿电压大于200伏，适于制作各种类型的集成电路和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 埋层阻档式 多孔 氧化 形成 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成SOI结构的方法，器件衬底采用P型硅材料，其特征在于包括如下步骤：(1)对在硅衬底上经过氧化和光刻步骤而形成的所需窗口部位进行锑或砷扩散，形成n型埋层阻挡层；(2)P型外延，在衬底上形成P型外延层；(3)经过氧化、光刻，在P型外延层上开出制作器件所需的窗口，在n型埋层阻挡层部位的上方保留氧化层和光刻胶；(4)在上述窗口部位进行磷或砷离子注入，然后在氮气气氛中退火，形成n型岛器件区；(5)在HF溶液中进行阳极化反应，使P型外延层转化为多孔硅；(6)多孔硅氧化，使多孔硅区域全部转变为多孔氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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