[发明专利]垂直双极晶体管

摘要

压缩式垂直双极晶体管结构消除了标准对称基极接触一侧和收集极接触穿透要求，它包括收集极层，置于收集极层上的基极层，置于基极层上的发射极层，第一侧壁绝缘层邻接并与发射极，基极层及至少收集极层的一部分的一侧相接触；第二侧壁绝缘层邻接并与发射极层和至少是基极的一部分的另一侧相接触，基极接触延展层由与基极层相同导电型的掺杂半导体材料形成，还有在基极接触延展层表面上的基极接触内连接，与收集极接触的延展层。

主权项

1.一垂直双极晶体管，包括：一个半导体材料的基底；在所述衬底上的半导体材料的外延区；其特征在于：具有第一导电型形成在上述外延区内的次收集极层，具有第一导电型在上述外延区内布设在上述次收集极层之上的收集极；具有第二导电型在上述外延区内布设在上述收集极层之上的基极层；具有第一导电型半导体材料布设在上述基极层之上的发射极层；所述外延区包括具有第二导电型的掺杂浓度大于所述基极掺杂浓度的基极延展层，紧接基极层的一侧侧向布设，其上表面在所述发射层的底面之下所述收集极层上表面之上；一第一侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射层相接触，且在与上述基极延展层相同的一侧；基极接触内连接是布设在上述基极延展层的上述顶面上，且由上述第一侧壁绝缘层与上述发射极层相隔离；所述外延区包括具有第一导电型且掺杂浓度大于次收集极层掺杂浓度的次收集极延展层，紧接所述次收集极和与所述基极延展层相距的发射极的另一侧侧向布设，所述次收集极延展层在所述收集极层上表面之下；第二侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射极层，上述基极层和至少是上述收集极层的一部分相接触，并在上述发射极层的上述另一侧；以及收集极接触内连接布设在上述收集极延展层的上述顶面上且第二侧壁绝缘层与上述发射机层相隔离。