[发明专利]超电导晶体管无效
| 申请号： | 89106453.2 | 申请日： | 1989-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1040463A | 公开（公告）日： | 1990-03-14 |
| 发明（设计）人： | 鸣海荣基;柏亨;松井正和 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L29/784 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 颜承根 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种超电导晶体管，在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极，在源极漏极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极，超电导体的厚度为其中ε为超电导体层的介电常数、n为超电导体层的载流子浓度，Vf为对应于超电导体层的禁带宽度的电压。又另一实施例相似，但在源极、漏极间的超电导体层的两面上经上述绝缘膜以对置方式配置门极，此时的超电导体层的厚度 | ||
| 搜索关键词： | 电导 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种超电导晶体管，其特征在于在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极，同时在上述两电极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极，令上述超电导体层的厚度为dc、超电导体层的介电常数为ε、超电导体层的载流子浓度为n及对应于超电导体层的禁带宽度的电压为Vf，则超电导体层的厚度dc为：。
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